Phase Change Memory - наше завтра

На следующей неделе ребятки из Калифорнийского университета обещают продемонстрировать рабочий образец накопителя сделанного по технологии фазового перехода.
В отличие от SSD этот тип памяти оперирует бинарным состоянием материала ячейки. те аморфное оно там или кристалическое. Чтение-запись реализованны так: при пропускании маленького тока становится понятно в каком из состояний сейчас ячейка (чтение), больший ток приводит к плавлению и переходу из состояния в состояние(запись)
Скорость чтения и записи потрясают - потоковое чтение до 1.1 гигабайта в секунда, запись - 371 мег в секунду (не мегабит,  а мегабайт!) 
Скорость работы с данными мелкими кусками менее впечатляющая, но тоже превышает сегодняшние ssd.
Сколько времени займет переход к производству новых чипов никто конечно не скажет, но то что это явная беспроигрыщная замена флешу - это точно